smt加工廠家內(nèi)部技術(shù)分析smt貼片加工ICT的受限接觸點(diǎn)問題

傳統(tǒng)模擬在電路技術(shù)通常用于判斷組裝 pcb 是否有缺陷。這些缺陷包括短路、器件立起、或者器件放置錯(cuò)誤。模擬在電路測(cè)試 (ICT) 的功能就是藉由自動(dòng)測(cè)試程序 (ATPG) 生成錯(cuò)誤器件糾正報(bào)告。自從 1972 年起，這種測(cè)試方法就成為無(wú)源器件測(cè)試的根本方法，但現(xiàn)在這些方法正受到電子器件封裝改變而帶來(lái)的威脅。

現(xiàn)今所用無(wú)源 SMD STM貼片加工 的小尺寸已達(dá) 0.5mm×1mm ，表面黏著器件又在器件底部隱藏了節(jié)點(diǎn)，硅片封裝已經(jīng)邁向細(xì)間距、超細(xì)間距和 BGA ，而 500 至 750 腳的封裝也已出現(xiàn)。

采用 SMD STM貼片加工，就沒有可以用來(lái)探測(cè)的器件引腳。探測(cè)只有藉由過(guò)孔來(lái)進(jìn)行，而通常線路板兩面都需要探測(cè)。如果在電路節(jié)點(diǎn)上找不到過(guò)孔，就要人為增加測(cè)試點(diǎn)。但現(xiàn)今開發(fā)者既面臨巨大的“盡快上市”壓力，同時(shí)器件可能比測(cè)試點(diǎn)還要小。因此可測(cè)試性設(shè)計(jì) (DFT) 常常被拋在一邊，既便有測(cè)試點(diǎn)，也很少會(huì)加上。

pcb 上的線徑一般為 0.1mm 寬，過(guò)孔則“埋在”內(nèi)層里，根本沒有接觸的可能。此外，探針的尺寸并不隨著與其接觸的焊盤尺寸的縮小而成比例縮小。焊盤已由 1mm 縮至 0.1mm ，而相臨探針的中心點(diǎn)間距已從 2.54mm 降至 1.27mm ，僅縮小了一半。

傳統(tǒng)的 ICT

模擬在電路測(cè)試的基本技術(shù)是藉由受測(cè)器件 (DUT) 的一個(gè)節(jié)點(diǎn)對(duì)網(wǎng)絡(luò)施加電壓，而在該器件的另一節(jié)點(diǎn)上測(cè)量電流 。

圖 1 ：可接觸節(jié)點(diǎn)的減少意味著將無(wú)法采用傳統(tǒng) ICT 技術(shù)測(cè)試與其相連的所有分支。

假設(shè)電壓源 Vs 為理想電壓源，并且可以供應(yīng) Zs 和 Zx 所需的足夠電流；同時(shí)假定測(cè)量電流的 Im 是一個(gè)理想電流表，其插入損耗為零。所用的電流表常采用運(yùn)算放大器的形式。設(shè) Zi 兩端的電壓為 0 ， Zi 也沒有電流流過(guò)，則 Zx 的值為：

Zx=Vs/Im

如果節(jié)點(diǎn) A 無(wú)法接觸，那么就不能從 Vs 提供電流。如果電壓源施加于相鄰節(jié)點(diǎn)上， A 點(diǎn)的電壓就無(wú)從知道，上面關(guān)于 Zx 的計(jì)算也就不可能了。

與此類似，如果節(jié)點(diǎn) B 無(wú)法接觸，也就不能夠斷定流過(guò) Zx 的電流。在相鄰節(jié)點(diǎn)測(cè)量電流會(huì)使流過(guò) Zi 的電流不為 0 ，smt貼片加工從而導(dǎo)致電流測(cè)量不準(zhǔn)確。后，如果保護(hù)節(jié)點(diǎn)也不能接觸到，則在 Zx 兩端會(huì)有一等效阻抗，改變了公式 1 的計(jì)算。因此，在電路中漏掉任何一個(gè)節(jié)點(diǎn)都會(huì)使得該器件無(wú)法測(cè)試。